RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
101
Autour de 76% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
7.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
101
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
7.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
1313
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Legend Silicon Corp. ] ] ] ]E6 ] ] ]00 8GB
Legend Silicon Corp. ] ] ] ]E6 ] ] ]00 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link