RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
6.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
24
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
6.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
1764
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link