RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
24
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1764
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link