RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
24
Autour de -26% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.4
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
19
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
3290
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link