RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
24
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
19
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3290
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link