RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
30
Autour de 20% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
30
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
2341
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link