RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2341
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link