RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Comparez
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Note globale
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Note globale
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
40
Autour de 35% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.8
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.6
7.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
40
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.6
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1610
2786
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Mushkin 992031 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link