RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Comparez
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Note globale
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
33
Autour de 21% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.3
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.7
7.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
33
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.6
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1610
2918
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology C 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link