RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Comparez
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Note globale
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
29
Autour de 10% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.1
7.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
29
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.6
16.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1610
3748
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link