RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Porównaj
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
29
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.1
7.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
29
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.6
16.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1610
3748
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link