Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB

Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB vs HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB

Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB

HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    31 left arrow 52
    Wokół strony -68% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    15.7 left arrow 10.5
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    9.5 left arrow 7.7
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    21300 left arrow 19200
    Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR4 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    52 left arrow 31
  • Prędkość odczytu, GB/s
    10.5 left arrow 15.7
  • Prędkość zapisu, GB/s
    7.7 left arrow 9.5
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    19200 left arrow 21300
Other
  • Opis
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Taktowanie / szybkość zegara
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2236 left arrow 2713
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania