RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB vs HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Gesamtnote
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Gesamtnote
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
52
Rund um -68% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
10.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.5
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
9.5
Speicherbandbreite, mbps
19200
21300
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2236
2713
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB RAM-Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link