RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Comparez
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Note globale
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
38
Autour de 32% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.2
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.3
7.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
38
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.6
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1610
2148
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Kingston 9965426-169.A00LF 8GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link