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Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Comparez
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Note globale
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Note globale
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Différences
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Raisons de considérer
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
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Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
107
Autour de -174% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
4.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
107
39
Vitesse de lecture, GB/s
8.5
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
4.7
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
25600
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1022
2782
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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