RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Comparez
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Note globale
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.9
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.9
6.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
27
Autour de -13% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
24
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
12.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
6.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2418
2256
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB Comparaison des RAM
Samsung M386B4G70DM0-YK03 32GB
Kingston K531R8-ETF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Comparaison des RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link