RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сравнить
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.9
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.9
6.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около -13% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
24
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
12.7
Скорость записи, Гб/сек
8.9
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2418
2256
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-YK03 32GB
Kingston K531R8-ETF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Сравнения RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link