RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Comparez
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Note globale
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Note globale
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
36
Autour de 33% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.0
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
36
Vitesse de lecture, GB/s
14.2
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2222
2417
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link