RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Porównaj
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
36
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
36
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2222
2417
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
UMAX Technology 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link