RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Comparez
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Note globale
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
26
Autour de 4% latence réduite
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.3
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
26
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.3
17.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1896
3938
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5316-058.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kllisre 0000 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link