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Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Comparez
Kingston 9905702-010.A00G 8GB vs Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Note globale
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Note globale
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
32
Autour de 6% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
11.1
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
32
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
11.1
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2792
1897
Kingston 9905702-010.A00G 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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