Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Note globale
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Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB

Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB

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Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    44 left arrow 48
    Autour de 8% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    4 left arrow 17.5
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    8.3 left arrow 1,769.9
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    25600 left arrow 6400
    Autour de 4 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    44 left arrow 48
  • Vitesse de lecture, GB/s
    4,482.7 left arrow 17.5
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    1,769.9 left arrow 8.3
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    6400 left arrow 25600
Other
  • Description
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
  • Timings / Vitesse d'horloge
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    525 left arrow 2196
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons