RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Comparar
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Pontuação geral
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
44
48
Por volta de 8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.3
1,769.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
48
Velocidade de leitura, GB/s
4,482.7
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,769.9
8.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
525
2196
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB Comparações de RAM
Kingston 99U5316-028.A00LF 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link