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Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Confronto
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
44
48
Intorno 8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.3
1,769.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
48
Velocità di lettura, GB/s
4,482.7
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,769.9
8.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
525
2196
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5316-028.A00LF 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
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