RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Comparez
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Note globale
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
28
Autour de 11% latence réduite
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.1
15.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.6
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
28
Vitesse de lecture, GB/s
15.7
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.8
15.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2388
3693
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Team Group Inc. 76TT16NUSL2R8-4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link