RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Porównaj
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.7
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2388
3693
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Team Group Inc. 76TT16NUSL2R8-4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link