RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5471-066.A00LF 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Comparez
Kingston 99U5471-066.A00LF 8GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Note globale
Kingston 99U5471-066.A00LF 8GB
Note globale
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 99U5471-066.A00LF 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
74
Autour de 47% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.3
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99U5471-066.A00LF 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
74
Vitesse de lecture, GB/s
14.3
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.3
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2463
1616
Kingston 99U5471-066.A00LF 8GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5471-036.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Kingston 99U5471-066.A00LF 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1608DT1TX0. 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link