RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5471-066.A00LF 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сравнить
Kingston 99U5471-066.A00LF 8GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5471-066.A00LF 8GB
Средняя оценка
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5471-066.A00LF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
74
Около 47% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.3
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.3
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5471-066.A00LF 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
74
Скорость чтения, Гб/сек
14.3
13.6
Скорость записи, Гб/сек
9.3
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2463
1616
Kingston 99U5471-066.A00LF 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5471-036.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingston 99U5471-066.A00LF 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link