RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5471-066.A00LF 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Comparar
Kingston 99U5471-066.A00LF 8GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Pontuação geral
Kingston 99U5471-066.A00LF 8GB
Pontuação geral
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5471-066.A00LF 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
74
Por volta de 47% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.3
13.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.3
7.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5471-066.A00LF 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
74
Velocidade de leitura, GB/s
14.3
13.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.3
7.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2463
1616
Kingston 99U5471-066.A00LF 8GB Comparações de RAM
Kingston 99U5471-036.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link