RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Comparez
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Note globale
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
29
Autour de 7% latence réduite
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.7
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.8
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
29
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
13.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
9.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2032
2407
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4C
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link