RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Comparez
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB vs Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Note globale
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Note globale
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
31
Autour de 16% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.2
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.8
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
31
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
11.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
8.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1489
2371
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link