RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Comparez
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Note globale
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Note globale
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
35
Autour de 23% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
35
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1620
2654
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link