RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Comparez
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Note globale
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Note globale
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
69
Autour de -68% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.7
1,441.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
41
Vitesse de lecture, GB/s
3,325.1
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,441.2
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
2154
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link