RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Comparez
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Note globale
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Note globale
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,256.8
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
64
Autour de -106% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
64
31
Vitesse de lecture, GB/s
4,651.3
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,256.8
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
837
3403
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link