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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
总分
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,256.8
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
64
左右 -106% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
64
31
读取速度,GB/s
4,651.3
17.8
写入速度,GB/s
2,256.8
13.4
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
837
3403
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB RAM的比较
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G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
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