RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
64
Wokół strony -106% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
3403
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link