RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Comparez
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Note globale
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
39
Autour de 31% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
39
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1620
2264
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link