RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Comparez
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Note globale
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.7
9.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
39
Autour de -8% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.9
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
36
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
9.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 13 15 18 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1749
2090
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link