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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Note globale
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Différences
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Raisons de considérer
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
49
Autour de -26% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.1
10
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
39
Vitesse de lecture, GB/s
10.0
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2116
3000
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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