RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
49
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.1
10
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
39
Скорость чтения, Гб/сек
10.0
15.1
Скорость записи, Гб/сек
8.2
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2116
3000
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link