RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Puntuación global
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
49
En -26% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
39
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2116
3000
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link