RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
49
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
39
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
3000
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Kingston KHX16 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link