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Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Comparez
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Note globale
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
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Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
28
Autour de -8% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
23.7
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
18.3
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
26
Vitesse de lecture, GB/s
10.4
23.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.1
18.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1560
4124
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
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