RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Porównaj
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Wynik ogólny
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
23.7
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.3
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
26
Prędkość odczytu, GB/s
10.4
23.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
18.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1560
4124
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link