RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Porównaj
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Wynik ogólny
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
23.7
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.3
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
26
Prędkość odczytu, GB/s
10.4
23.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
18.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1560
4124
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link