RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Comparez
Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Note globale
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
69
Autour de -165% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
23.7
6.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
18.3
4.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
14900
Autour de 1.29 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
26
Vitesse de lecture, GB/s
6.1
23.7
Vitesse d'écriture, GB/s
4.1
18.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
14900
19200
Other
Description
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1116
4124
Kingston HX318C10FK/4 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB Comparaison des RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G6K1 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Kingston 99U5403-002.A00LF 2GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link