RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Comparez
Kingston K531R8-MIN 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Note globale
Kingston K531R8-MIN 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston K531R8-MIN 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
30
Autour de 7% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.4
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
30
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
14.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2445
3327
Kingston K531R8-MIN 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Mushkin 994083 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link