RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Comparez
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Note globale
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
40
Autour de -43% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.1
13.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.6
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
28
Vitesse de lecture, GB/s
13.1
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
15.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2148
3693
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB Comparaison des RAM
Kingston TSB16D3LS1KFG/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
G Skill Intl F3-1600C9-8GXM 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link