RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Porównaj
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Wynik ogólny
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
40
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
13.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.1
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2148
3693
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KFG/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link