RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Comparez
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Note globale
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
35
Autour de -9% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
10.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
32
Vitesse de lecture, GB/s
16.2
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
10.7
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2726
2858
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB Comparaison des RAM
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BLT8G3D1608DT1TX0. 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338C
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link