RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Comparez
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Note globale
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Note globale
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
60
Autour de -122% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.9
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.8
5.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
14900
Autour de 1.29 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
27
Vitesse de lecture, GB/s
6.8
13.9
Vitesse d'écriture, GB/s
5.4
8.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
14900
19200
Other
Description
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1411
2186
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB Comparaison des RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link